性能指标：1、高电压分辨率≤0.6nm @ 15kV（二次电子）； 2、低电压分辨率≤1.0nm @ 1kV（二次电子）； 3、在束重合点分辨率：≤0.6nm @ 15kV；≤2.5nm @ 1kV，边加工边观察的分辨率 4、背散射电子分辨率（BSE）： ≤2nm @ 30kV； 5、 加速电压：0.5-30kV 6、电子着陆能量范围：20eV–30keV； 7、电子束束流：0.8pA-100nA，1pA以下可以成像观察 8、 离子束电压：0.5-30kV 9、 Ga离子束分辨率≤2.5nm @ 30kV 10、Ga离子束流强度：0.1pA–65nA。 11、 离子束视场≥0.9mm @8kV或≥1mm @30kV 12、冷冻台 温度范围：-190℃至+5℃ 13、 原位加热台最高温度≥1200℃，升温时间≤100ms

样品要求：1、样品应是干燥样品。 2、样品在真空中应保持稳定。 3、粉末样品如果不是特别细，应用碳导电胶粘在台上。 4、导电性不好的粉末应予以喷金处理